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dsPIC33EP_PWM控制H橋請教

非8051系列的單晶片軟硬體請在此區討論(CPU介面周邊,或MICRO CHIP等....)

版主: charlesliao

Re: dsPIC33EP_PWM控制H橋請教

文章Scott Wang 發表於 週一 3月 30, 2015 3:47 pm

你是否有降低頻率去測過?
例如:降低至100Hz,1khz,5Khz,再往上 ...
超音波切割機(切割塑膠用),小型攜帶式,可以切割如:adapter適配器外殼,玩具模型等等,若欲詢問超音波切割機,請PM,謝謝。

可調高壓直流電源供應器,中低壓直流電源供應器,高壓模組,電壓放大器,電流放大器.
恆流源(定電流源),恆壓源(定電壓源),帶通濾波器,2V以下高精度參考電壓,標準電壓.
專門接受訂製,設計生產各種特殊規格,高精度產品,學校實驗室,研究單位實驗設備.
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Re: dsPIC33EP_PWM控制H橋請教

文章water10735 發表於 週一 3月 30, 2015 4:23 pm

Scott Wang您好,

剛剛有嘗試將Rgs改為1K,(無22歐姆跟4148),
然後將頻率從20KHz降成10KHz,
相關結果如下,謝謝!!
無22跟4148+Rgs=1k+頻率=20khz

hZLlxao.png

無22跟4148+Rgs=1k+頻率=10khz

qw2Shnd.png

F2w1ZOa.png
最後由 water10735 於 週一 3月 30, 2015 4:47 pm 編輯, 總共編輯了 2 次
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Re: dsPIC33EP_PWM控制H橋請教

文章Scott Wang 發表於 週一 3月 30, 2015 4:35 pm

以你現在的波形來看,是在上面波形的左邊未迅速下降,還兩段式的咧,大它概怕摔下來會痛 ... :lol:
若那是Vgs的波形,等你降低速度看看波形如何.
我就是怕它的內部電容所造成,所以一直要你降低速度看看.
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Re: dsPIC33EP_PWM控制H橋請教

文章water10735 發表於 週一 3月 30, 2015 4:47 pm

我後來想到,
因為我量測的點是Q1_VG對POWER GND與Q2_VG對POWER GND
對Q2來講應該就是VGS電壓,但是對Q1來說就不是VGS電壓(VGS應該是NGH對OUT才對),
Q1_ON的準位會提升至12+24V=36V,Q1_OFF就是24V
由下圖來看,Q1的OFF應該在紅色圈圈處就停止了,
後面粉紅色部分單純就是Chang pump電容還沒放電完,
所以我想對Mosfet的切換來說,
Q1應該在紅色圈圈處就完成OFF工作,後續Q2才做開啟,
之前忘記考慮Chang pump準位的部分,
不過先前的放電時間有過慢的問題存在,
修正之後有好很多了,
不知道我這樣子的看法是否正確?
懇請指教討論,謝謝!!! :)

19W4R9h.png
water10735
 
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Re: dsPIC33EP_PWM控制H橋請教

文章Scott Wang 發表於 週一 3月 30, 2015 5:36 pm

放電改善電路,是否有效,還有數據你要再測試.
1. 22Ω先照原來的,之後也許要修改阻值.
2. 請看電路右上角,增加一個放電電路,總共4組,b級電阻可能也要再修正,因為它跟頻率有關係.

H-bridge-Mosfet_Discharge_ScottWang.gif
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Re: dsPIC33EP_PWM控制H橋請教

文章water10735 發表於 週二 3月 31, 2015 8:32 am

感謝Scott Wang的回覆,
小弟在此想請問一下,
您建議的放電改善電路(增加電晶體部分),
主要的作用是要消除上面波形的左邊未迅速下降,兩段式的部分嗎?
還請指導一下小弟,謝謝!!!
water10735
 
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Re: dsPIC33EP_PWM控制H橋請教

文章Scott Wang 發表於 週二 3月 31, 2015 1:00 pm

water10735 寫:感謝Scott Wang的回覆,
小弟在此想請問一下,
您建議的放電改善電路(增加電晶體部分),
主要的作用是要消除上面波形的左邊未迅速下降,兩段式的部分嗎?
還請指導一下小弟,謝謝!!!

就是我說的可能是內部電容所引起的影響速度的未快速放電,導至Vgs電壓也未快速下降,讓Mosfet的Vds處於ON的狀態.
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Re: dsPIC33EP_PWM控制H橋請教

文章xaudio 發表於 週二 3月 31, 2015 1:51 pm

前面的我沒仔細看,請研究一下是否有用?

BZqNk.jpg
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Re: dsPIC33EP_PWM控制H橋請教

文章water10735 發表於 週二 3月 31, 2015 2:26 pm

X大:
Dead Time部分在韌體方面各有前後加入1us,
所以這部分應該是沒有問題,感謝您的關心^^! :D

Scott Wang 大:
我剛剛想到了一個問題,
所以補量測了一些波形,如下電路圖說明
先前量的Q1與Q2的準位都是POWER GND,
之前Q1量測的都是紅圈圈兩端
對Q1來說應該就不是VGS的波形。
因為探棒準位的關係,所以我有再分別量測真正Q1的VGS波形
Q1-VGS(黃色圈處)與Q2-VGS(綠色圈處)的波形,波形圖如下
因為是分開量測,所以無法將兩圖合併起來看時序是否正確,
但是可以看出來Q1的MOSFET開關部分應該還算正常,
Q1截止的時間大概是6us,然而Q2的導通時間是4us
如果再加上我設定的死區各1us,那麼就剛好是6us,
不過因為兩者時序沒有直接對起來,所以我也只是推論,
還請前輩們指教與討論,謝謝!!!
圖一、量測點說明(無22歐姆、Rgs為1K、未加PNP電晶體)

ItV6E1j.png

圖二、Q1_Vgs波形-1

5DgPJav.png

圖三、Q1_Vgs波形-2

oZMhJqW.png

圖四、Q2_Vgs波形-1

R1ZqFQA.png

圖五、Q2_Vgs波形-2

FDPILbp.png

補充一下,
另有測試加電晶體之後Q1_VG對POWER GND的波形,比較如下,謝謝!!

圖六、未加電晶體放電電路

n6Bwzkw.png

圖七、加電晶體放電電路

iWfr4dy.png
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Re: dsPIC33EP_PWM控制H橋請教

文章water10735 發表於 週五 5月 15, 2015 3:15 pm

目前問題算是改善了,
只要的差異是更換Gate Driver零件
把國產的改成IR的,
然後在空載時將馬達轉速設定最高,
MOSFET全放開0.1S後,啟動電子煞車(該時間衝擊算是很大了)
然後去觀察煞車時的波形,目前是沒有看到反電動勢的出現
後續還需要再做負載驗證,
先提供相關波形給大家參考,如下,謝謝!!
經過此次事件,
得到的感想是選用零件時,盡量往在該領域較知名的廠商選擇起
不然會浪費到自己很多的時間,共勉之 :D

波形上面有說明,主要就是量測H橋的各點,並同時觀察該腳位在正反轉時的狀況
請參考H橋的電路,即可!!

pxFeD0t.png

vi924vK.png

Xm0Rkuw.png
water10735
 
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